【译文】

用Si 和SiC MOSFETs 制作用于双频感应加热的

单个逆变器桥的比较研究

作者：埃里克.J.迪德

译者；丁得刚

作者介绍：

    埃里克.J.迪德获西班牙瓦伦西亚大学电子学博士学位。

    他是瓦伦西亚大学电力电子专业全职教授，也是总部位于瓦伦西亚的GH感应热处理公司的研发总监。他拥有多项感应加热高频逆变器国际专利技术，且在电力电子专业领域撰写了250多篇论文。迪德博士在大功率逆变器的设计方面拥有25年以上的经验。

    迪德博士是国际电气和电子工程师协会（IEEE）工业应用协会欧洲工作组成员以及电力转换与智能运动欧洲组织（PCIM-Europe）和电力转换与智能运动中国组织（PCIM-China）国际顾问委员会成员。他是国际电气和电子工程师协会（IEEE）电力电子学会和工业电子学会西班牙联合分会的前任主席，也是欧洲电力电子和驱动协会（EPE）副主席。他是2009年在西班牙巴塞罗那举办的欧洲电力电子与驱动（EPE 2009）大会的执行主席。

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